Forschung in einem DFG Projekt als Teil des Schwerpunktprogramms „GaNius" auf dem Gebiet moderner Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter. Die Möglichkeit zur Promotion ist gegeben.

• Ausbau der Methoden und Testmöglichkeiten zur Charakterisierung von GaN-Leistungsbauelementen bezüglich trappingabhängiger Parameter
• Messtechnische Charakterisierung und Analyse von GaN-on-Si-Leistungshalbleitern
• Analyse der Langzeitstabilität der GaN-Leistungstransistoren
• Charakterisierung der Transistoren bei Temperaturen bis zu 175 °C

• Erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master, Diplom oder Äquivalent) der Elektrotechnik und sehr gute Kenntnisse und Erfahrungen im Bereich Leistungselektronik, Wide-Bandgap-Halbleiterbauelemente, Messtechnik sowie Elektronik-Hardwareentwicklung sind Voraussetzung
• Fähigkeit zum selbständigen wissenschaftlichen Arbeiten wird vorausgesetzt
• Gute Deutsch- und/oder Englischkenntnisse in Wort und Schrift erforderlich; Bereitschaft die jeweils fehlenden Sprachkenntnisse zu erwerben

Wünschenswert:

• Praktische Erfahrung in der Entwicklung von Leistungselektronik sowie der Programmierung von Field Programmable Gate Array (FPGA) und Mikrocontrollern sind ausdrücklich erwünscht

Ihre Bewerbung richten Sie bitte unter Angabe der Kennziffer mit den üblichen Unterlagen und Nachweisen zu Sprachkenntnissen per E-Mail an Prof. Dr. Sibylle Dieckerhoff (sekr@pe.tu-berlin.de).

Mit der Abgabe einer Onlinebewerbung geben Sie als Bewerber*in Ihr Einverständnis, dass Ihre Daten elektronisch verarbeitet und gespeichert werden. Wir weisen darauf hin, dass bei ungeschützter Übersendung Ihrer Bewerbung auf elektronischem Wege keine Gewähr für die Sicherheit übermittelter persönlicher Daten übernommen werden kann. Datenschutzrechtliche Hinweise zur Verarbeitung Ihrer Daten gem. DSGVO finden Sie auf der Webseite der Personalabteilung: https://www.abt2-t.tu-berlin.de/menue/themen_a_z/datenschutzerklaerung.

Zur Wahrung der Chancengleichheit zwischen Frauen und Männern sind Bewerbungen von Frauen mit der jeweiligen Qualifikation ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Die TU Berlin schätzt die Vielfalt ihrer Mitglieder und verfolgt die Ziele der Chancengleichheit. Bewerbungen von Menschen aller Nationalitäten und mit Migrationshintergrund sind herzlich willkommen.

Technische Universität Berlin - Die Präsidentin - Fakultät IV, Institut für Energie- und Automatisierungstechnik, FG Leistungselektronik, Prof. Dr.-Ing. Sibylle Dieckerhoff, Sekr. E 2, Einsteinufer 19, 10587 Berlin